- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datasheets
SiS322DNT.pdfPCN -assemblage/oorsprong
Transfer Of Assembly,Test 31/May/2017.pdfSIS322DNT-T1-GE3 Tech -specificaties
Vishay Siliconix - SIS322DNT-T1-GE3 Technische specificaties, attributen, parameters en onderdelen met vergelijkbare specificaties als Vishay Siliconix - SIS322DNT-T1-GE3
| Productkenmerk | Attribuutwaarde | |
|---|---|---|
| Fabrikant | Vishay / Siliconix | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | +20V, -16V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Leverancier Device Pakket | PowerPAK® 1212-8 | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Rds On (Max) @ Id, VGS | 7.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vermogensverlies (Max) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) | |
| Verpakking / doos | PowerPAK® 1212-8 | |
| Pakket | Tape & Reel (TR) |
| Productkenmerk | Attribuutwaarde | |
|---|---|---|
| Temperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| montage Type | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 15 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V | |
| FET Type | N-Channel | |
| FET Feature | - | |
| Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | 4.5V, 10V | |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | 30 V | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 38.3A (Tc) | |
| Base Productnummer | SIS322 |
| ATTRIBUUT | BESCHRIJVING |
|---|---|
| RoHs-status | ROHS3 -compatibel |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
De drie delen aan de rechterkant hebben vergelijkbare specificaties als Vishay Siliconix SIS322DNT-T1-GE3.
| Productkenmerk | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Onderdeel nummer | SIS322DNT-T1-GE3 | SIS330DN-T1-GE3 | SIS328MX(C1) | SIS307ELVBOBA |
| Fabrikant | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | SIS | SIS |
| Base Productnummer | SIS322 | SIS330 | - | - |
| FET Feature | - | - | - | - |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | 30 V | 30 V | - | - |
| Pakket | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 15 V | 1300 pF @ 15 V | - | - |
| Leverancier Device Pakket | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | - | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 38.3A (Tc) | 35A (Tc) | - | - |
| Vermogensverlies (Max) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | - | - |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| montage Type | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| Verpakking / doos | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | - | - |
| Serie | TrenchFET® | TrenchFET® | - | - |
| FET Type | N-Channel | N-Channel | - | - |
| Vgs (Max) | +20V, -16V | ±20V | - | - |
| Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | - | - |
| Temperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, VGS | 7.5mOhm @ 10A, 10V | 5.6mOhm @ 10A, 10V | - | - |
Download SIS322DNT-T1-GE3 PDF -datasheets en Vishay Siliconix -documentatie voor SIS322DNT-T1-GE3 - Vishay Siliconix.
SIS328MX(C1)SIS
SIS307ELVBOBASIS
SIS330SIS
SIS328VX-C1SIS
SIS315SIS
SIS302LVMVSIS
SIS328MXSIS
SIS307DVSIS
SiS330DNElectro-Films (EFI) / Vishay
SIS315-A0GA-LFSIS
SIS305SIS
SIS307ELVSIS
SIS332DNElectro-Films (EFI) / Vishay
SIS316MXSIS
SIS328VXC1SIS
SIS332DN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay
SIS302LVMV-E0SISUw e -mailadres wordt niet gepubliceerd.
| Gemeenschappelijke landen logistieke tijdreferentie | ||
|---|---|---|
| Regio | Land | Logistische tijd (dag) |
| Amerika | Verenigde Staten | 5 |
| Brazilië | 7 | |
| Europa | Duitsland | 5 |
| Verenigd Koninkrijk | 4 | |
| Italië | 5 | |
| Oceanië | Australië | 6 |
| Nieuw-Zeeland | 5 | |
| Azië | India | 4 |
| Japan | 4 | |
| Midden-Oosten | Israël | 6 |
| DHL & FedEx Verzendkosten Referentie | |
|---|---|
| Verzendkosten (kg) | Referentie DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
Wil je een betere prijs? Toevoegen aan CART en Dien nu RFQ in, we nemen onmiddellijk contact met u op.