- Jess***Jones
- 2026/04/17
Andere gerelateerde documenten
IR Part Numbering System.pdfPcn veroudering/ eol
Multiple Devices 20/Dec/2013.pdfPCN -assemblage/oorsprong
DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdfPcn andere
MSL Update 20/Feb/2014.pdfIRF6727MTR1PBF Tech -specificaties
Infineon Technologies - IRF6727MTR1PBF Technische specificaties, attributen, parameters en onderdelen met vergelijkbare specificaties als Infineon Technologies - IRF6727MTR1PBF
| Productkenmerk | Attribuutwaarde | |
|---|---|---|
| Fabrikant | Infineon Technologies | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Leverancier Device Pakket | DIRECTFET™ MX | |
| Serie | HEXFET® | |
| Rds On (Max) @ Id, VGS | 1.7mOhm @ 32A, 10V | |
| Vermogensverlies (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | |
| Verpakking / doos | DirectFET™ Isometric MX | |
| Pakket | Tape & Reel (TR) |
| Productkenmerk | Attribuutwaarde | |
|---|---|---|
| Temperatuur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| montage Type | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6190 pF @ 15 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 4.5 V | |
| FET Type | N-Channel | |
| FET Feature | - | |
| Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | 4.5V, 10V | |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | 30 V | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 180A (Tc) |
| ATTRIBUUT | BESCHRIJVING |
|---|---|
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bereikstatus | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
De drie delen aan de rechterkant hebben vergelijkbare specificaties als Infineon Technologies IRF6727MTR1PBF.
| Productkenmerk | ![]() |
|
|---|---|---|
| Onderdeel nummer | IRF6727MTR1PBF | MAX4722EUA+ |
| Fabrikant | Infineon Technologies | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
| Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | 4.5V, 10V | - |
| Verpakking / doos | DirectFET™ Isometric MX | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118', 3.00mm Width) |
| Serie | HEXFET® | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 4.5 V | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6190 pF @ 15 V | - |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | 30 V | - |
| Rds On (Max) @ Id, VGS | 1.7mOhm @ 32A, 10V | - |
| Vgs (Max) | ±20V | - |
| Temperatuur | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Pakket | Tape & Reel (TR) | Tube |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA | - |
| FET Feature | - | - |
| Vermogensverlies (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | - |
| montage Type | Surface Mount | Surface Mount |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 180A (Tc) | - |
| Leverancier Device Pakket | DIRECTFET™ MX | 8-uMAX/uSOP |
| FET Type | N-Channel | - |
Download IRF6727MTR1PBF PDF -datasheets en Infineon Technologies -documentatie voor IRF6727MTR1PBF - Infineon Technologies.
Uw e -mailadres wordt niet gepubliceerd.
| Gemeenschappelijke landen logistieke tijdreferentie | ||
|---|---|---|
| Regio | Land | Logistische tijd (dag) |
| Amerika | Verenigde Staten | 5 |
| Brazilië | 7 | |
| Europa | Duitsland | 5 |
| Verenigd Koninkrijk | 4 | |
| Italië | 5 | |
| Oceanië | Australië | 6 |
| Nieuw-Zeeland | 5 | |
| Azië | India | 4 |
| Japan | 4 | |
| Midden-Oosten | Israël | 6 |
| DHL & FedEx Verzendkosten Referentie | |
|---|---|
| Verzendkosten (kg) | Referentie DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

Wil je een betere prijs? Toevoegen aan CART en Dien nu RFQ in, we nemen onmiddellijk contact met u op.