- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datasheets
BSC886N03LS G.pdfAndere gerelateerde documenten
Part Number Guide.pdfPcn veroudering/ eol
Mult Dev EOL 23/Sep/2022.pdfPcn andere
Multiple Changes 09/Jul/2014.pdfPCN -assemblage/oorsprong
Assembly Site Update 26/Jul/2016.pdfBSC886N03LSGATMA1 Tech -specificaties
Infineon Technologies - BSC886N03LSGATMA1 Technische specificaties, attributen, parameters en onderdelen met vergelijkbare specificaties als Infineon Technologies - BSC886N03LSGATMA1
| Productkenmerk | Attribuutwaarde | |
|---|---|---|
| Fabrikant | Infineon Technologies | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Leverancier Device Pakket | PG-TDSON-8-1 | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Rds On (Max) @ Id, VGS | 6mOhm @ 30A, 10V | |
| Vermogensverlies (Max) | 2.5W (Ta), 39W (Tc) | |
| Verpakking / doos | 8-PowerTDFN | |
| Pakket | Tape & Reel (TR) |
| Productkenmerk | Attribuutwaarde | |
|---|---|---|
| Temperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| montage Type | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 15 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| FET Type | N-Channel | |
| FET Feature | - | |
| Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | 4.5V, 10V | |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | 30 V | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta), 65A (Tc) | |
| Base Productnummer | BSC886 |
| ATTRIBUUT | BESCHRIJVING |
|---|---|
| RoHs-status | ROHS3 -compatibel |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bereikstatus | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
De drie delen aan de rechterkant hebben vergelijkbare specificaties als Infineon Technologies BSC886N03LSGATMA1.
| Productkenmerk | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| Onderdeel nummer | BSC889N03LSGATMA1 | BSC889N03MSGATMA1 | BSC883N03MSGATMA1 | BSC886N03LS G |
| Fabrikant | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss) | - | - | - | - |
| Base Productnummer | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Vermogensverlies (Max) | - | - | - | - |
| FET Type | - | - | - | - |
| Pakket | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| FET Feature | - | - | - | - |
| montage Type | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Leverancier Device Pakket | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Temperatuur | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan) | - | - | - | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Verpakking / doos | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Technologie | - | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, VGS | - | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
Download BSC886N03LSGATMA1 PDF -datasheets en Infineon Technologies -documentatie voor BSC886N03LSGATMA1 - Infineon Technologies.
BSC886N03LS GInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
BSC886N03LSGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
BSC889N03LSGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
BSC884N03MSG MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC883N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 34V 19A/98A TDSON
BSC889N03LSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC884N03MSGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
BSC8899N03MSInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
BSC886N03LSG E8178Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC889N03MSGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
BSC900N20NSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC900N20NS3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC886N03LSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC884N03MSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC889N03MSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC889N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 12A 44A TDSON
BSC884N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 34V 17A/85A TDSON
BSC889N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 13A/45A TDSONUw e -mailadres wordt niet gepubliceerd.
| Gemeenschappelijke landen logistieke tijdreferentie | ||
|---|---|---|
| Regio | Land | Logistische tijd (dag) |
| Amerika | Verenigde Staten | 5 |
| Brazilië | 7 | |
| Europa | Duitsland | 5 |
| Verenigd Koninkrijk | 4 | |
| Italië | 5 | |
| Oceanië | Australië | 6 |
| Nieuw-Zeeland | 5 | |
| Azië | India | 4 |
| Japan | 4 | |
| Midden-Oosten | Israël | 6 |
| DHL & FedEx Verzendkosten Referentie | |
|---|---|
| Verzendkosten (kg) | Referentie DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

Wil je een betere prijs? Toevoegen aan CART en Dien nu RFQ in, we nemen onmiddellijk contact met u op.